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产品分类

AI 处理器

AI 加速器

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商品型号:UJ4C075033L8S

商品名称:UJ4C075033L8S

品牌:Qorvo

年份:24+

封装:MO-229-8

货期:全新原装

库存数量:2000

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公司名称:

技术参数

制造商
Qorvo
型号
UJ4C075033L8S
封装
MO-229-8
描述
MOSFET 750V、33mohm G4 SiC FET 晶体管

产品描述

UJ4C075033L8S - 750V、33mohm G4 SiC FET 晶体管

该器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,是开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用的理想之选。


产品属性

技术: 碳化硅  

安装方式:SMD/SMT

封装/外壳 MO-229-8  

晶体管极性 N 通道  

通道数 1 通道  

Vds - 漏极-源极击穿电压:750 V  

Id - 持续漏极电流:44 A  

Rds On - 漏极-源极电阻: 41 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: + 20 V  

Vgs th - 栅极-源极阈值电压:6 V  

Qg - 栅极电荷: 37.8 nC  

Pd - 功率耗散:205 W

通道模式: 增强

产品类型 MOSFET 晶体管


主要特性

导通电阻 RDS(on): 33 欧姆(典型值)

工作温度 175℃(最高)

出色的反向恢复能力: Qrr = 89nC

低体二极管 VFSD:1.26V

低栅极电荷: QG = 37.8nC

阈值电压 VG(th): 4.8V(典型值),允许 0 至 15V 驱动电压

低本征电容

ESD 保护: HBM 等级 2 和 CDM 等级 C3

TOLL 封装,开关速度更快,栅极波形更清晰


典型应用

服务器和电信电源

开关模式电源

直流-直流转换器电路

电动汽车充电站

光伏逆变器


相关联产品

型号

品牌

封装

数量

描述

UG4SC075005L8S

Qorvo

MO-229-8

3000

750V,5.0mOhm 组合场效应晶体管,SiC JFET w/ Si MOSFET

UG4SC075009K4S

Qorvo

TO-247-4

3000

750V,8.4mOhm 组合场效应晶体管,SiC JFET w/ Si MOSFET

UJ4C075060L8SSB

Qorvo

MO-229-8

2000

750V 58 欧姆 SiC FET 晶体管

UJ4C075060L8SSR

Qorvo

MO-229-8

2000

750V 58 欧姆 SiC FET 晶体管

UJ4C075044L8SSB

Qorvo

MO-229-8

2000

750V 44 欧姆 SiC FET 晶体管

UJ4C075044L8SSR

Qorvo

MO-229-8

2000

750V 44 欧姆 SiC FET 晶体管

UJ4C075033L8SSR

Qorvo

MO-229-8

2000

750V 33 欧姆 SiC FET 晶体管

UJ4C075033L8SSB

Qorvo

MO-229-8

2000

750V 33 欧姆 SiC FET 晶体管

UJ4C075023L8SSR

Qorvo

MO-229-8

2000

750V 23mohm SiC FET 晶体管

UJ4C075023L8SSB

Qorvo

MO-229-8

2000

750V 23mohm SiC FET 晶体管

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    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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    答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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Qorvo

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Qorvo总部位于美国北卡罗来纳州,汇聚30余年的设计经验,全球拥有近8,000名员工。Qorvo在中国具有两大生产基地,位于北京市和山东省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦庄经济技术开发区, 现有员工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山东省德…

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