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UJ4C075033K4S - 750V、33mohm G4 SiC FET 晶体管

产品属性

技术： 碳化硅  

安装方式：SMD/SMT

封装/外壳：TO-247-4

晶体管极性 N 通道  

通道数 1 通道  

Vds - 漏极-源极击穿电压：750 V  

Id - 持续漏极电流：47 A  

Rds On - 漏极-源极电阻： 41 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压： + 20 V  

Vgs th - 栅极-源极阈值电压：6 V  

Qg - 栅极电荷： 37.8 nC  

Pd - 功率耗散：242 W

通道模式： 增强

产品类型 MOSFET 晶体管

主要特性

导通电阻 (RDS(on))： 33 欧姆（典型值）

最高工作温度 175 °C

出色的反向恢复能力： Qrr = 88 nC

低体二极管 VFSD：1.26 V

低栅极电荷： QG = 37.8 nC

阈值电压 VG(th)： 4.8 V（典型值），允许 0 至 15 V 驱动电压

典型应用

服务器和电信电源

开关模式电源

直流-直流转换器电路

电动汽车充电站

光伏逆变器

UJ4C075033K4S - 该器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，是开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用的理想之选。

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