UJ4C075033K4S - 750V、33mohm G4 SiC FET 晶体管
产品属性
技术: 碳化硅
安装方式:SMD/SMT
封装/外壳:TO-247-4
晶体管极性 N 通道
通道数 1 通道
Vds - 漏极-源极击穿电压:750 V
Id - 持续漏极电流:47 A
Rds On - 漏极-源极电阻: 41 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: + 20 V
Vgs th - 栅极-源极阈值电压:6 V
Qg - 栅极电荷: 37.8 nC
Pd - 功率耗散:242 W
通道模式: 增强
产品类型 MOSFET 晶体管
主要特性
导通电阻 (RDS(on)): 33 欧姆(典型值)
最高工作温度 175 °C
出色的反向恢复能力: Qrr = 88 nC
低体二极管 VFSD:1.26 V
低栅极电荷: QG = 37.8 nC
阈值电压 VG(th): 4.8 V(典型值),允许 0 至 15 V 驱动电压
典型应用
服务器和电信电源
开关模式电源
直流-直流转换器电路
电动汽车充电站
光伏逆变器
UJ4C075033K4S - 该器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,是开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用的理想之选。
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Qorvo总部位于美国北卡罗来纳州,汇聚30余年的设计经验,全球拥有近8,000名员工。Qorvo在中国具有两大生产基地,位于北京市和山东省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦庄经济技术开发区, 现有员工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山东省德…
QPA3350
QPA3350是一款混合功率倍增放大器模块。该器件采用GaAs/GaN芯片,工作频率范围为45 MHz至1003 MHz。它具有出色的线性度、出色的回波损耗性能、低噪声和最佳可靠性。QPA3350的规格:工作频率:45 MHz to 1.003 GHz工作电源电压:24 V工作电源电流:470 mA增益:25 dBNF—噪…QPA3340
QPA3340是一款混合功率倍增放大器模块。该器件采用GaAs/GaN芯片,工作频率范围为45 MHz至1003 MHz。它具有出色的线性度、出色的回波损耗性能、低噪声和最佳可靠性。该器件适合用于45–1003 MHz有线电视放大器系统。QPA3340的规格:工作频率:45 MHz to 1.003 GHz工作电源…QPA3357
QPA3357是一款采用混合封装的GaAs pHEMT/MESFET 75Ω倍频射频放大器,具有超过28dB的平坦增益。QPA3357设计用于通过单个24V电源支持高达1218MHz的有线数据传输业务接口规范 (DOCSIS) 3.1应用。QPA3357具有低噪声、低失真和高效率,功耗低至10.5W。QPA3357的规格:工作频率…QPA3359
QPA3359是一款推挽放大器模块。该器件采用GaAs pHEMT/MESFET芯片,工作频率范围为47 MHz至1218 MHz。它具有出色的线性度、出色的回波损耗性能、低噪声和最佳可靠性。QPA3359的规格:工作频率:45 MHz to 1.218 GHz工作电源电压:24 V工作电源电流:260 mA增益:28 dBNF—…QPA1725
QPA1725是一款大功率、封装Ku波段MMIC放大器,采用Qorvo的0.15um碳化硅基氮化镓工艺 (QGaN15) 制造。QPA1725针对17.3GHz至21.2GHz Satcom频段,同时提供10W线性功率,三阶互调失真积为20dBc。此外,QPA1725可提供高达20W输出功率,小信号增益为33dB,功率附加效率为25%。…QPA1009D
QPA1009D是一款宽带功率放大器MMIC,采用Qorvo生产的0.15 um GaN on SiC工艺(QGaN15)制造。QPA1009D覆盖10.7–12.7 GHz,提供超过17.5瓦的饱和输出功率和17 dB的大信号增益,同时实现超过40%的功率附加效率。QPA1006D适用于各种工作条件,包括CW工作模式。因此,该器件非…电话咨询:86-755-83294757
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