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产品分类

嵌入式和网络处理器

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商品型号:UF4SC120023B7SSR

商品名称:UF4SC120023B7SSR

品牌:Qorvo

年份:24+

封装:D2PAK-7

货期:全新原装

库存数量:2000

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技术参数

制造商
Qorvo
型号
UF4SC120023B7SSR
封装
D2PAK-7
描述
MOSFET 1200V、23mΩ G4 SiC FET 晶体管

产品描述

UF4SC120023B7SSR 是一款 1200V、23mΩ G4 SiC FET 晶体管。该 SiC FET 器件基于独特的 "级联 "电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。


主要特性

导通电阻 RDS(on): 23 欧姆(典型值)

工作温度 175℃(最高)

出色的反向恢复: Qrr = 243nC

低体二极管 VFSD:1.2V

低栅极电荷: QG = 37.8nC

本征电容低

ESD 保护: HBM 2 级


典型应用

电动汽车充电

光伏逆变器

开关模式电源

功率因数校正电路

直流-直流转换器电路

感应加热


UF4SC120023B7SSR - 该器件采用 D2PAK-7L 封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合电感负载开关和任何需要标准栅极驱动的应用。

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Qorvo

Qorvo

Qorvo总部位于美国北卡罗来纳州,汇聚30余年的设计经验,全球拥有近8,000名员工。Qorvo在中国具有两大生产基地,位于北京市和山东省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦庄经济技术开发区, 现有员工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山东省德…

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