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UF4SC120030B7SSB - 1200V、30mΩ G4 SiC FET 分立晶体管

产品属性

产品： SiC FET  

技术：SiC  

Vf - 正向电压：1.35 V  

Vgs - 栅极源极电压：- 20 V，+ 20 V  

安装方式： SMD/SMT  

封装/外壳 D2PAK-7 

下降时间：11 ns  

Id - 持续漏极电流：56 A  

通道数 1 通道  

Pd - 功率耗散： 341 W 

Rds On - 漏极-源极电阻： 39 mOhms  

上升时间：20 ns 

晶体管极性 N 沟道  

典型关断延迟时间：62 ns  

典型导通延迟时间：26 ns  

Vds - 漏极-源极击穿电压：1.2 kV  

Vgs th - 栅极-源极阈值电压：6 V

典型应用

电动汽车充电

光伏逆变器

开关模式电源

功率因数校正电路

直流-直流转换器电路

感应加热

UF4SC120030B7SSB - 该器件采用节省空间的 D2PAK-7L 封装，可实现自动装配，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，是电感负载开关和任何需要标准栅极驱动的应用的理想之选。

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