IXXN100N60B3H1 - 用于 10-30kHz 开关的极轻型穿通 IGBT 模块
产品特性
针对低开关损耗进行了优化
方形 RBSOA
隔离电压 2500V~ z 反并联超快二极管
针对 10-30kHz 开关进行了优化
雪崩额定值
短路能力
高电流处理能力
优势
高功率密度
栅极驱动要求低
应用
电源逆变器
不间断电源
电机驱动器
SMPS
PFC 电路
电池充电器
电焊机
灯镇流器
型号
品牌
封装
数量
描述
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IXYS（中文名： 艾赛斯）总部位于美国硅谷，1983年成立，主营：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流桥、二极管、DCB块、功率模块、Hybrid、晶体管、逆变器、射频模块和单片机等。业务分布于消费、汽车、医疗、电信、工业和能源领域，产品技术特点为高压、高功率，涵盖了…
IXFX230N20T
IXFX230N20T是一款高性能功率 MOSFET，专为高电流和高电压应用设计。
VUO36-16NO8
VUO36-16NO8是一款高性能三相桥式整流器，专为高电压、高电流的应用场景设计。
IXSH80N120L2KHV
IXSH80N120L2KHV是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶体管，其导通电阻（RDS(on)）为30mΩ，这意味着在导通状态下，器件的电阻较小，有助于减少能量损耗。该IXSH80N120L2KHV器件适用于需要高效率、快速开关和低损耗的应用，如车载充电器、电动汽车/混合动力汽车的DC/DC变换…
IXSH40N120L2KHV
IXSH40N120L2KHV是一款工业级SiC MOSFET，其耐压值为1200V，具有低导通电阻和高速开关特性，适用于高功率应用场景。IXSH40N120L2KHV具有较低的导通电阻，有助于减少能量损耗，提高系统效率。技术参数产品：IXSH40N120L2KHV封装 / 箱体：TO-247-4L晶体管极性：N-Channel…
IXSA80N120L2-7
IXSA80N120L2-7是一款工业级、单开关SiC MOSFET，具有低损耗、快速切换的特性，适用于高速度工业开关模式电源供应。主要特性低导通损耗：IXSA80N120L2-7的导通损耗非常低，具体为30mΩ。低栅极驱动功率要求：栅极驱动电压范围为-3/+15到18V。低热管理需求：该MOSFE…
IXSA40N120L2-7
IXSA40N120L2-7是一款工业级单管碳化硅MOSFET（SiC MOSFET），具有优异的功率循环特性和快速、低损耗的开关行为。应用领域IXSA40N120L2-7适用于多种高功率和高频率的应用场景，包括：太阳能逆变器开关模式电源不间断电源电机驱动DC/DC转换器电动汽车充电基础设施感应加热…电话咨询：86-755-83294757
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