NVMFS4C302NT1G - 采用 8-PowerTDFN 封装的 30V 单 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 晶体管
型号:NVMFS4C302NT1G
封装:SO-8
类型:MOSFET 晶体管
描述:N通道 30V 43A (Ta),241A (Tc) 3.75W (Ta),115W (Tc) 表面贴装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
产品概述
NVMFS4C302NT1G - 采用 5x6mm 扁平引线封装的汽车功率 MOSFET,专为紧凑型高效设计而设计,具有高散热性能。提供用于增强光学检测的可润湿侧翼选件。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,具有 PPAP 能力,适合汽车应用。
产品特点
小尺寸(5x6 毫米),适合紧凑型设计
- 低 RDS(on),将传导损耗降至最低
- 低 QG 和电容,将驱动器损耗降至最低
- NVMFS4C302NWF - 用于增强光学检测的可湿侧面选件
- 通过 AEC-Q101 认证并可执行 PPAP
应用
- DC-DC 转换器输出驱动器
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封装
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描述
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