描述:R7F701304EAFP微控制器功耗低,闪存容量高达 2 MB,RAM 容量高达 64KB,具有增强型电机控制定时器、CAN 接口、SENT 和 PSI5 等传感器数字接口以及锁定 CPU、ECC、BIST(内置自检)和 ECM(错误控制模块)等安全功能,适用于底盘系统。
产品属性
核心处理器:RH850G3M
内核规格:32 位单核
速度:160MHz
连接能力:CANbus, CSI, FlexRay, LINbus, PSI5, UART/USART
外设:LVD,POR,PWM,WDT
I/O 数:52
程序存储容量:2MB(2M x 8)
程序存储器类型:闪存
EEPROM 容量:-
RAM 大小:64K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):3V ~ 5.5V
数据转换器:A/D 24x12b
振荡器类型:内部
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:100-LFQFP(14x14)
封装/外壳:100-LQFP
基本产品编号:R7F701304
型号
品牌
封装
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描述
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瑞萨科技是世界十大半导体芯片供应商之一,在很多诸如移动通信、汽车电子和PC/AV 等领域获得了全球最高市场份额。瑞萨科技在2003年4月1日正式成立,以领先的科技实现人类的梦想。结合了日立与三菱电机在半导体领域上的丰富经验和专业知识,配合全球二万七千名员工的无限创…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技术平台,结合高电压 GaN HEMT 与低电压 硅MOSFET ,具备优异可靠性及性能。产品属性FET 类型:N 通道技术:GaNFET(氮化镓)漏源电压(Vdss):650 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.9A(Tc)驱动…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化镓场效应晶体管),采用 Gen IV SuperGaN平台技术,具有高可靠性、低损耗特性。主要规格FET 类型:N 通道技术:GaNFET(氮化镓)漏源电压(Vdss):650 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.9A(Tc)驱动电压(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封装 ,导通电阻为35mΩ,具备开尔文源极端子设计。TP65H035G4YS器件结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术,可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技术符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平台构建的常闭器件。使用专有技术,从而降低了内部封装电感并简化了组装过程。它将最先进的高压 GaN HEMT 与低压硅 MOSFET 相结合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA还通过了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技术FET器件,采用 TOLT封装 (顶部散热型表面贴装),适用于需要高效热管理和高可靠性的场景。其主要规格如下:FET 类型:N 通道技术:GaNFET(氮化镓)漏源电压(Vdss):650 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A(Tc)驱…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),采用TO-220封装,由(Renesas)生产。该器件具有低导通电阻和优异开关性能,适用于高效率电源转换场景。核心参数FET 类型:N 通道技术:GaNFET(氮化镓)漏源电压(Vdss):650 V25C 时电流 - 连续漏极…电话咨询:86-755-83294757
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