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TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化镓 （GaN） FET 是使用Renesas的 GenIV 平台构建的常闭器件。使用专有技术，从而降低了内部封装电感并简化了组装过程。它将最先进的高压 GaN HEMT 与低压硅 MOSFET 相结合，以提供卓越的可靠性和性能。此外，TP65H035G4WSQA还通过了 175°C 的汽车级测试，并通过了针对汽车级分立半导体的 AEC-Q101 压力测试。

技术规格

FET 类型：N 通道

技术：GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：47.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：41 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：22 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1500 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：187W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：通孔

封装：TO-247-3

典型应用

TP65H035G4WSQA适用于汽车电子、光伏逆变器、工业功率模块及高压直流转换器等场景。

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