RH850/P1M:R7F701314EAFP适用于底盘系统的高端汽车微型计算机 QFP144
概述
RH850/P1M 微控制器功耗低,闪存容量高达 2 MB,RAM 容量高达 128 KB,具有增强型电机控制定时器、CAN 接口、SENT 和 PSI5 等传感器数字接口以及锁定 CPU、ECC、BIST(内置自检)和 ECM(错误控制模块)等安全功能,适用于底盘系统。 此外,仅 2 MB 的闪存产品是作为选件的内置 ICU-S(硬件安全模块)。
特性
CPU:G3M 内核,最大 160MHz
电压:3V 到 5.5V
封装:100 至 144 引脚 LFQFP
内存:SRAM 最大 128KB,程序闪存最大 2MB
定时器:12 路 32 位定时器、48 路 16 位定时器、1 路看门狗定时器、TSG3 x 2 单位、ENCA x 2 单位、OSTM x 7 单位、TPBA x 2 单位
PWM:PWM 输出 x 32,三相 PWM 输出功能
模拟功能:24 路 12 位 A/D 转换器
片上振荡器 兆赫(MHz):8 MHz
其他:PLL、上电复位、低电压检测
型号
品牌
封装
数量
描述
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TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技术平台,结合高电压 GaN HEMT 与低电压 硅MOSFET ,具备优异可靠性及性能。产品属性FET 类型:N 通道技术:GaNFET(氮化镓)漏源电压(Vdss):650 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.9A(Tc)驱动…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化镓场效应晶体管),采用 Gen IV SuperGaN平台技术,具有高可靠性、低损耗特性。主要规格FET 类型:N 通道技术:GaNFET(氮化镓)漏源电压(Vdss):650 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.9A(Tc)驱动电压(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封装 ,导通电阻为35mΩ,具备开尔文源极端子设计。TP65H035G4YS器件结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术,可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技术符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平台构建的常闭器件。使用专有技术,从而降低了内部封装电感并简化了组装过程。它将最先进的高压 GaN HEMT 与低压硅 MOSFET 相结合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA还通过了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技术FET器件,采用 TOLT封装 (顶部散热型表面贴装),适用于需要高效热管理和高可靠性的场景。其主要规格如下:FET 类型:N 通道技术:GaNFET(氮化镓)漏源电压(Vdss):650 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A(Tc)驱…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),采用TO-220封装,由(Renesas)生产。该器件具有低导通电阻和优异开关性能,适用于高效率电源转换场景。核心参数FET 类型:N 通道技术:GaNFET(氮化镓)漏源电压(Vdss):650 V25C 时电流 - 连续漏极…电话咨询:86-755-83294757
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