C3M0045065D - 650V、45mΩ、49A、分立碳化硅功率 MOSFET 晶体管,采用 TO-247-3 封装
产品概览
Wolfspeed 通过推出第三代 650 V MOSFET,扩大了其碳化硅 (SiC) 技术的领先优势,使更多电源系统实现了更小、更轻和更高效的功率转换。650 V MOSFET 产品系列是高性能工业电源、服务器/电信电源、电动汽车充电系统、储能系统、不间断电源和电池管理系统等应用的理想之选。
产品属性
技术:碳化硅
安装方式:通孔
封装/外壳:TO-247-3
晶体管极性:N-通道
通道数:1 通道
Vds - 漏极-源极击穿电压:650 V
Id - 漏极连续电流:49 A
Rds On - 漏极-源极电阻:45 mOhms
Vgs - 栅极源极电压:- 8 V,+ 19 V
Vgs th - 栅极-源极阈值电压:3.6 V
Qg - 栅极电荷:63 nC
最低工作温度:- 40°C
最高工作温度:175°C
Pd - 功率耗散:176 W
通道模式:增强型
型号
品牌
封装
数量
描述
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Wolfspeed(纽交所代码:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技术方面处于市场领先地位。我们为高效能源消耗和可持续未来提供行业领先的解决方案。Wolfspeed 的产品系列包括碳化硅材料、电源开关器件和射频器件,涵盖电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和存储以及航空航天和国…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技术高阻塞电压,低导通电阻高速开关,低电容快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)无卤素,符合 RoHS 规范C3M0060065D 的优点更高的系统效率降低冷却要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术优化封装,具有独立的驱动源引脚漏极和源极之间的爬电距离为 8 毫米高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)无卤素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 沟道增强型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。C3M0021120D 的特点第三代碳化硅 MOSFET 技术高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管无卤素,符合 RoHS 规范C3M0021120D 的优点降低开关损耗,最大限度地减少栅极振铃…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽车 N 沟道增强模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶体管。E4M0060075K1 的特点优化封装,具有独立的驱动源引脚高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容本征二极管速度快,反向恢复 (Qrr) 低无卤素,符合 RoHS 规范通过汽车认证 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽车 N 沟道增强模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶体管。E4M0045075K1 的特点优化封装,具有独立的驱动源引脚高阻断电压,低导通电阻高速开关,低电容本征二极管速度快,反向恢复 (Qrr) 低无卤素,符合 RoHS 规范通过汽车认证 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半桥、工业级 HV-H3TRB 认证、CTI 600、SiC 功率模块。Wolfspeed HAS模块非常适用于高频 工业应用,如感应加热、轨道/牵引、电机驱动器和电动汽车充电基础设施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源电压(Vdss):1200V25C 时电流 -…电话咨询:86-755-83294757
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