商品名称:IMBG65R107M1H
数据手册:IMBG65R107M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:TO-263-7
货期:全新原装
库存数量:1000 件
IMBG65R107M1H CoolSiC™ MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装,基于先进的英飞凌碳化硅沟槽技术,适于大功率应用。 该器件旨在提高系统性能,缩减尺寸,增强可靠性。
特征描述
低 Qrr 和 Qoss
低开关损耗
换向稳健型快速体二极管
先进沟槽技术带来出色的栅极氧化物可靠性
采用 .XT 互连技术,实现卓越的热性能
雪崩能力更强
SMD 封装,可直接集成至 PCB
用于优化开关性能的感测引脚
优势
高性能、高可靠性且易于使用
高系统效率和高功率密度
降低系统成本和复杂度
打造成本更低、结构更简单且尺寸更小的系统
采用连续硬换向拓扑
适于高温和恶劣的工作环境
实现双向拓扑
潜在应用
服务器
电信
开关电源 (SMPS)
太阳能系统
储能和电池系统
不间断电源 (UPS)
电动汽车充电
电机驱动器
型号
品牌
封装
数量
描述
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