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商品型号:BSC004NE2LS5ATMA1

商品名称:BSC004NE2LS5ATMA1

数据手册:BSC004NE2LS5ATMA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封装:8-PowerTDFN

货期:全新原装

库存数量:5000

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公司名称:

技术参数

制造商
INFINEON
型号
BSC004NE2LS5ATMA1
封装
8-PowerTDFN
描述
N-通道25V 40A(Ta),479A(Tc) 2.5W(Ta),188W(Tc) 表面贴装型

产品描述

BSC004NE2LS5ATMA1是一款采用SuperSO8封装的OptiMOS™ 5低压功率MOSFET 25V晶体管,其BiC RDS(on)为0.45mOhm。


BSC004NE2LS5ATMA1的产品属性

技术: 硅技术

安装方式: SMD/SMT

封装/外壳:TDSON-8-FL

晶体管极性: N-沟道

通道数: 1个通道

Vds - 漏极-源极击穿电压:25 V

Id - 连续漏极电流:479 A

Rds On - 漏极-源极电阻: 540 uOhms

Vgs - 栅极源电压:- 20 V,+ 20 V

Vgs th - 栅源阈值电压:1.5 V

Qg - 栅极电荷:238 nC


BSC004NE2LS5ATMA1的特点

优异的通态电阻

基准的开关性能(最小质量系数RDS(on) x Qg和RDS(on) x Qgd)

为环形电路优化的特定部件,提供低RDS(on)。

带有集成肖特基二极管的部件和漏电流减少的型号


晶体管 BSC004NE2LS5ATMA1 N-沟道功率MOSFET 晶体管 8-PowerTDFN


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封装

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描述

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常见问题

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