商品名称:BSC004NE2LS5ATMA1
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:8-PowerTDFN
货期:全新原装
库存数量:5000 件
BSC004NE2LS5ATMA1是一款采用SuperSO8封装的OptiMOS™ 5低压功率MOSFET 25V晶体管,其BiC RDS(on)为0.45mOhm。
BSC004NE2LS5ATMA1的产品属性
技术: 硅技术
安装方式: SMD/SMT
封装/外壳:TDSON-8-FL
晶体管极性: N-沟道
通道数: 1个通道
Vds - 漏极-源极击穿电压:25 V
Id - 连续漏极电流:479 A
Rds On - 漏极-源极电阻: 540 uOhms
Vgs - 栅极源电压:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 栅源阈值电压:1.5 V
Qg - 栅极电荷:238 nC
BSC004NE2LS5ATMA1的特点
优异的通态电阻
基准的开关性能(最小质量系数RDS(on) x Qg和RDS(on) x Qgd)
为环形电路优化的特定部件,提供低RDS(on)。
带有集成肖特基二极管的部件和漏电流减少的型号
晶体管 BSC004NE2LS5ATMA1 N-沟道功率MOSFET 晶体管 8-PowerTDFN
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描述
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AIKQB120N75CP2 器件采用750V EDT2技术,非常适合支持高达470V电池电压的高压汽车应用。它支持简单的并行、系统灵活性和功率可扩展性。应用:xEV牵引逆变器DC-link 放电开关汽车辅助驱动特征:电压 = 750 V电流 = 120 A适用于470 V VDC系统,增加400 V VDC系统的过压裕量…电话咨询:86-755-83294757
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