商品名称:IMBG65R163M1HXTMA1
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:TO-263-8
货期:全新原装
库存数量:5000 件
IMBG65R163M1HXTMA1 SMD紧凑型封装SiC MOSFET,CoolSiC™ MOSFET技术通过最大限度地利用碳化硅的强大物理特性,增强了器件性能、坚固性和易用性的独特优势。
IMBG65R163M1HXTMA1的产品属性
晶体管类型: N-沟道
技术: SiCFET (碳化硅)
漏极至源极电压(Vdss): 650 V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25°C: 17A (Tc)
驱动电压(最大Rds On,最小Rds On): 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V
Vgs(th)(最大)@ Id: 5.7V @ 1.7mA
栅极电荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 10 nC @ 18 V
Vgs(最大): +23V,-5V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds: 320 pF @ 400 V
功率耗散(最大): 85W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳:TO-263-8,D²Pak(7引线+焊片),TO-263CA
IMBG65R163M1HXTMA1的特点
高性能、高可靠性和易于使用
高系统效率和高功率密度
降低了系统成本和复杂性
创建成本更低、更简单、更小的系统
集成电路芯片IMBG65R163M1HXTMA1功率MOSFET晶体管TO-263-8
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SAK-TC1791F-512F240EP AB
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AIKYX120N75CP2是一款采用750V EDT2技术的汽车认证IGBT。与3引脚器件相比,它支持高达470V的电池电压、安全快速开关和30%的开启能量损耗。应用:xEV牵引逆变器DC-link 放电开关汽车辅助驱动特征:VCE = 750VIC = 120 A适用于470 V直流系统,增加了400 V直流系统的过压裕量…AIKYX200N75CP2
AIKYX200N75CP2采用750V EDT2技术,非常适合汽车应用。与3引脚器件相比,它支持高达470V的电池电压、安全快速开关和30%的开启能量损耗。其合格的可回流焊封装支持创新的组装解决方案,可在系统级实现高达40%的更佳导热性和最高功率输出。特征:VCE = 750VIC = 200 A同类最…AIKQB200N75CP2
AIKQB200N75CP2器件采用750V EDT2技术,非常适合支持高达470V电池电压的高压汽车应用。它支持简单的并行、系统灵活性和功率可扩展性。应用:xEV牵引逆变器DC-link 放电开关汽车辅助驱动特征:电压 = 750 V电流 = 200 A适用于470 V VDC系统,增加400 V VDC系统的过压裕量非…AIKQB120N75CP2
AIKQB120N75CP2 器件采用750V EDT2技术,非常适合支持高达470V电池电压的高压汽车应用。它支持简单的并行、系统灵活性和功率可扩展性。应用:xEV牵引逆变器DC-link 放电开关汽车辅助驱动特征:电压 = 750 V电流 = 120 A适用于470 V VDC系统,增加400 V VDC系统的过压裕量…电话咨询:86-755-83294757
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