NTMYS5D3N04CTWG - N-通道功率MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：NTMYS5D3N04CTWG

商品名称：NTMYS5D3N04CTWG

数据手册：NTMYS5D3N04CTWG.pdf

品牌：ON

年份：23+

封装：LFPAK4

货期：全新原装

库存数量：3000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

型号

NTMYS5D3N04CTWG

封装

LFPAK4

描述

表面贴装型 N 通道 40 V 19A（Ta），71A（Tc） 3.6W（Ta），50W（Tc） LFPAK4（5x6）

产品描述

NTMYS5D3N04CTWG是工业用40V单N通道MOSFET器件，占位面积小 (5mm x 6mm)，非常适合用于紧凑型设计。器件具有低漏极-源极导通电阻，可最大限度地降低导通损耗，并具有低栅极电荷和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。该工业级功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，具有较宽的工作温度范围（-55°C至+175°）。

产品规格：

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A（Ta），71A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.3 毫欧 @ 35A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 40µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：16 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1000 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），50W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：LFPAK4（5x6）

封装/外壳：SOT-1023，4-LFPAK

基本产品编号：NTMYS5

常见问题

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