商品名称：IPT60R022S7XTMA1
数据手册：
IPT60R022S7XTMA1.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封装：PG-HSOF-8-2
货期：全新原装
库存数量：4000 件
N通道IPT60R022S7XTMA1 MOSFET晶体管 8-PowerSFN集成电路芯片
产品属性
晶体管极性： N-沟道
通道数： 1个通道
Vds - 漏极-源极击穿电压：600 V
Id - 连续漏极电流：23 A
Rds On - 漏极-源极电阻：22 mOhms
Vgs - 栅极源电压：- 20 V，+ 20 V
Vgs th - 栅极-源极阈值电压：4.5 V
Qg - 栅极电荷： 150 nC
最低工作温度：- 55 C
最高工作温度： + 150 C
Pd - 功率耗散： 390 W
通道模式： 增强型
配置： 单一
下降时间: 9 ns
上升时间: 4 ns
晶体管类型： 1个N通道
典型的关断延迟时间：150 ns
典型的开启延迟时间：30 ns
产品介绍
IPT60R022S7XTMA1是600V CoolMOS™ S7超级结MOSFET晶体管，采用TO无引线（TOLL）封装。
特点是
改进的热阻
高脉冲电流容量
导电性优化
在SMD封装中具有同类最佳的RDS(on)。
开尔文源引脚，改善了大电流下的开关性能
TOLL封装符合MSL1标准，完全无铅，易于目视检查引线
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描述
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StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS（导通）和高电流能力进行了优化。电话咨询：86-755-83294757
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