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商品型号:IMBF170R450M1XTMA1

商品名称:IMBF170R450M1XTMA1

数据手册:IMBF170R450M1XTMA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封装:TO-263-7

货期:全新原装

库存数量:4000

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技术参数

制造商
INFINEON
型号
IMBF170R450M1XTMA1
封装
TO-263-7
描述
N-通道1700 V 9.8A (Tc) 107W (Tc) 表面贴装

产品描述

IMBF170R450M1XTMA1 1700V沟槽式碳化硅MOSFET晶体管 TO-263-8


产品属性:

晶体管极性: N-沟道

通道数: 1个通道

Vds - 漏极-源极击穿电压:1.7 kV

Id - 连续漏极电流:9.8 A

Rds On - 漏极-源极电阻: 450 mOhms

Vgs - 栅极源电压:- 10 V,+ 20 V

Vgs th - 栅极源阈值电压:4.5 V

Qg - 栅极电荷: 11 nC

最低工作温度:- 55 C

最高工作温度: + 175 C

Pd - 功率耗散: 107 W

通道模式: 增强型

下降时间:24 ns

正向电导率 - 最小: 0.9 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 20 ns


产品介绍

IMBF170R450M1XTMA1是1700V的CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET晶体管,采用TO-263-7封装。


特点是

极低的开关损耗

与反激式控制器兼容的12 V/0 V栅极源电压

完全可控的dV/dt,针对EMI进行了优化

与具有12 V / 0 V栅极源电压的反激式控制器兼容

SMD(表面贴装)封装,增加了爬电距离和电气间隙(>7毫米)


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封装

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