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产品分类

AI 处理器

AI 加速器

图片仅供参考,请参阅产品规格
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商品型号:IXYN50N170CV1

商品名称:IXYN50N170CV1

数据手册:IXYN50N170CV1.pdf

品牌:IXYS

年份:23+

封装:SOT-227

货期:全新原装

库存数量:1000

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公司名称:

技术参数

制造商
IXYS
型号
IXYN50N170CV1
封装
SOT-227
描述
IGBT 1700 V 120 A 880 W 底座安装 SOT-227B

产品描述

1700V IXYN50N170CV1是一款离散式超轻穿通型(XPT™)高电压IGBT器件。与其他IGBT相比,该系列IGBT具有更高的效率、无需串联多个器件、提供可靠性的电力系统优势。


器件规格:

IGBT 类型:-

电压 - 集射极击穿(最大值):1700 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm):485 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):3.7V @ 15V,50A

功率 - 最大值:880 W

开关能量:8.7mJ(开),5.6mJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:260 nC

25°C 时 Td(开/关)值:22ns/236ns

测试条件:850V,50A,1 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr):255 ns

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:底座安装

封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC

供应商器件封装:SOT-227B

基本产品编号:IXYN50


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型号

品牌

封装

数量

描述

FF225R65T3E3

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2000

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FZ1000R45KL3

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2000

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FP40R12KE3

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3000

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FF900R12IE4P

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3000

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FF300R17ME7

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3000

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常见问题

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    答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。

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IXYS

IXYS

IXYS(中文名: 艾赛斯)总部位于美国硅谷,1983年成立,主营:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流桥、二极管、DCB块、功率模块、Hybrid、晶体管、逆变器、射频模块和单片机等。业务分布于消费、汽车、医疗、电信、工业和能源领域,产品技术特点为高压、高功率,涵盖了…

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