商品名称:SCT3080AW7TL
数据手册:SCT3080AW7TL.pdf
品牌:ROHM
年份:23+
封装:TO-263-7
货期:全新原装
库存数量:3000 件
集成电路芯片N-通道650V 29A 125WSCT3080AW7TL晶体管
产品属性
Vds - 漏极-源极击穿电压:650V
Id - 连续漏极电流:29A
Rds On - 漏极-源极电阻:104 mOhms
Vgs - 栅源电压:- 4 V,+ 22 V
Vgs th - 栅极-源极阈值电压:5.6 V
Qg - 栅极电荷: 48 nC
最高工作温度: + 175 C
Pd - 功率耗散: 125 W
通道模式: 增强型
下降时间:12 ns
正向电导率 - 最小: 3.8 S
上升时间:13 ns
典型的关断延迟时间: 17 ns
典型的开启延迟时间:4 ns
单位重量: 1.600 g
产品介绍
SCT3080AW7TL提供内置ESD保护和良好的散热性,便于安装。应用包括高开关频率和高密度的转换器。
特点
有助于提高功率转换效率和缩小尺寸
优异的散热性
符合RoHS标准
型号
品牌
封装
数量
描述
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罗姆(ROHM)株式会社是全球知名的半导体厂商之一,总部所在地设在日本京都市,ROHM设计和制造半导体、集成电路以及其它电子元器件。这些元件在快速变化、不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场均占有一席之地。 一些最具创新意义的设备和装置都采用了 ROHM 产品。
SCT3040KRC15
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SCT3030ARHRC15是一款650V 70A的N通道 SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻,是符合AEC-Q101标准的高可靠性车载级产品。规格产品种类: MOSFET 技术: SiC 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vd…RGS50TSX2DGC11
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RGW00TS65DHRC11 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装,具有低集电极-发射极饱和电压。具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。特性● 低集极-射极饱和电压● 高速转换● 低开关损耗和软开关● …电话咨询:86-755-83294757
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