LMG3100R044VBER 器件是一款具有集成驱动器的 100V 连续、120V 脉冲、126A 氮化镓 (GaN) FET。该器件包含一个由高频 GaN FET 驱动器驱动的 100V GaN FET。LMG3100 包含一个高侧电平转换器和自举电路,因此两个 LMG3100 器件可用于形成半桥,而无需额外的电平转换器。
特性:
集成了 1.7mΩ GaN FET 和驱动器
100V 连续 120V 脉冲式电压额定值
集成了高侧电平转换和自举
两个 LMG3100 可构成一个半桥
无需外部电平转换器
5V 外部辅助电源
支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
高压摆率开关,低振铃
栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率
内部自举电源电压钳位,可防止 GaN FET 过驱动
电源轨欠压锁定保护
低功耗
封装经过优化,便于 PCB 布局
外露式顶部 QFN 封装,实现顶面散热
底部大型外露焊盘,实现底面散热
应用:
• 降压、升压和降压-升压转换器
• LLC 转换器
• 太阳能逆变器
• 电信和服务器电源
• 电机驱动
• 电动工具
• D 类音频放大器
型号
品牌
封装
数量
描述
Nexperia
CCPAK1212i
3000
氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i
Nexperia
WLCSP-22
3000
氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)
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