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产品说明:具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET
封装:VQFN-52产品说明:具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 600V 30mΩ GaN FET
封装:VQFN-54产品说明:100V 2.6mΩ 半桥氮化镓 (GaN) 功率级
封装:18-VQFN-FCRLF产品说明:具有集成驱动器的 100V 4.4mΩ GaN FET
封装:15-VQFN-FCRLF产品说明:氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i
封装:CCPAK1212i产品说明:氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 60A(Tc) 300W(Tc) CCPAK1212
封装:CCPAK1212产品说明:氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)
封装:WLCSP-22产品说明:氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 150 V 100A(Ta) 65W(Ta)VQFN
封装:VQFN-7产品说明:650V 170mΩ GaN FET,带集成驱动器、保护和电流检测功能
封装:VQFN-38产品说明:600V 30mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和零电压检测功能
封装:54-VQFN产品说明:100V 4.4mΩ 半桥 GaN FET,带集成驱动器和保护功能
封装:WQFN-16产品说明:2496–2690MHz,85W平均值,48V Airfast®射频功率GaN晶体管
封装:OM−780−4S4S产品说明:2110-2200MHz,85W平均值,48V Airfast®射频功率GaN晶体管
封装:OM- 780- 4S4S产品说明:通孔 N 通道 650 V 34.5A(Ta) 143W(Ta) TO-247-3
封装:TO-247-3产品说明:通孔 N 通道 650 V 47.2A 187W TO-247-3
封装:TO-247-3产品说明:650 V、140 mOhm 氮化镓 (GaN) FET,采用 DFN 8 mm x 8 mm 封装
封装:DFN8080-8电话咨询:86-755-83294757
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