商品名称:IPT015N10NF2SATMA1
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:PG-HSOF-8
货期:全新原装
库存数量:3000 件
IPT015N10NF2SATMA1(100V)StrongIRFET™ 2功率MOSFET是N沟道、正常电平、100%经过雪崩测试的MOSFET。Infineon StrongIRFET 2 MOSFET优化用于各种应用。
产品规格:
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A(Ta),315A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 毫欧 @ 150A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 267µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):242 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):11000 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),300W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-HSOF-8
封装/外壳:8-PowerSFN
型号
品牌
封装
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描述
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