SCT040W65G3-4是一款碳化硅功率MOSFET,具有650V的漏源极击穿电压、30A的连续漏极电流和45mOhm的典型导通电阻,采用HiP247-4封装。
SCT040W65G3-4采用ST的先进第三代SiC MOSFET技术,具有在整个温度范围内非常低的RDS(on),结合低电容和非常高的开关操作频率,能够改善应用性能,提高频率、能源效率、系统尺寸和重量减少。
此外,SCT040W65G3-4具有非常快速和稳健的内置体二极管,能够在高达200°C的结温下工作,并且具有源感应引脚以提高效率。
技术参数
产品:SCT040W65G3-4
封装 / 箱体::HiP247-4
晶体管极性::N-Channel
通道数量::1 Channel
Vds-漏源极击穿电压::650 V
Id-连续漏极电流::30 A
Rds On-漏源导通电阻::63 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压::- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压::3 V
Qg-栅极电荷::37.5 nC
最小工作温度::- 55 C
最大工作温度::+ 200 C
Pd-功率耗散::240 W
通道模式::Enhancement
配置::Single
下降时间::19 ns
封装::Tube
产品::SiC MOSFETS
产品类型::SiC MOSFETS
上升时间::7.4 ns
典型关闭延迟时间::29.6 ns
典型接通延迟时间::13 ns
型号
品牌
封装
数量
描述
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