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商品型号:SCT040W65G3-4

商品名称:碳化硅 MOSFET 单管

品牌:ST

年份:25+

封装:HiP247-4

货期:全新原装

库存数量:3000

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公司名称:

技术参数

制造商
ST
型号
SCT040W65G3-4
封装
HiP247-4
描述
650V 碳化硅功率 MOSFET 晶体管

产品描述

SCT040W65G3-4是一款碳化硅功率MOSFET,具有650V的漏源极击穿电压、30A的连续漏极电流和45mOhm的典型导通电阻,采用HiP247-4封装‌‌。


SCT040W65G3-4采用ST的先进第三代SiC MOSFET技术,具有在整个温度范围内非常低的RDS(on),结合低电容和非常高的开关操作频率,能够改善应用性能,提高频率、能源效率、系统尺寸和重量减少‌。


此外,SCT040W65G3-4具有非常快速和稳健的内置体二极管,能够在高达200°C的结温下工作,并且具有源感应引脚以提高效率‌。


技术参数

产品:SCT040W65G3-4

封装 / 箱体::HiP247-4

晶体管极性::N-Channel

通道数量::1 Channel

Vds-漏源极击穿电压::650 V

Id-连续漏极电流::30 A

Rds On-漏源导通电阻::63 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压::- 10 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压::3 V

Qg-栅极电荷::37.5 nC

最小工作温度::- 55 C

最大工作温度::+ 200 C

Pd-功率耗散::240 W

通道模式::Enhancement

配置::Single

下降时间::19 ns

封装::Tube

产品::SiC MOSFETS

产品类型::SiC MOSFETS

上升时间::7.4 ns

典型关闭延迟时间::29.6 ns

典型接通延迟时间::13 ns


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封装

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描述

IMZ120R060M1H

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常见问题

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ST

ST

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