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深圳市明佳达电子有限公司
型号

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产品分类

集成电路（IC）

以太网 I²C总线开关 I³C 智能开关和扩展器 DDR5 寄存时钟驱动器 接口 - 触控驱动器 RS-232接口集成电路 视频放大器 CAN 收发器 服务器管理处理器 高带宽总线开关 差动放大器 模拟交叉点开关 HDMI发送器 激光驱动器 模拟开关 IC 超声波接收器 多路复用器和解复用器 视频处理器 视频编码器 接口 - 串行数字接口 (SDI) IC AI 芯片 接口 - 重定时器 跨阻放大器 CXL 近内存加速器和内存扩展控制器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

可调谐滤波器 带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 无线通信芯片 近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线通信模块 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 双极（BJT）晶体管 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 升压控制器 以太网供电（PoE）控制器

连接器

压接线连接器 近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器 Mini-SAS 高密度连接器

传感器

电容式传感器 加速度计 磁阻传感器 ​角度传感器 霍尔效应开关 电感式传感器 霍尔效应锁存器和开关 生物传感器 飞行时间传感器 传感器信号调节器 光学传感器 流量传感器 板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 气体传感器 位置传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

电阻器网络

首页 /集成电路（IC）/功率器件/碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs/碳化硅 MOSFET 单管
图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：SCTWA40N120G2V

商品名称：碳化硅 MOSFET 单管

品牌：ST

年份：25+

封装：HiP247-3

货期：全新原装

库存数量：3000 件

数量:
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联系人：

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公司名称：

技术参数

制造商
ST
型号
SCTWA40N120G2V
封装
HiP247-3
描述
1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶体管

产品描述

SCTWA40N120G2V器件是一款1200 V碳化硅场效应管（MOSFET），主要用于需要高电压和高电流处理的场合，如电源管理、电机控制等‌。这款碳化硅功率 MOSFET 器件采用ST的第二代 SiC MOSFET 技术开发而成。


技术参数

产品：SCTWA40N120G2V

封装 / 箱体：HiP247-3

晶体管极性：N-Channel

通道数量：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：1.2 kV

Id-连续漏极电流：36 A

Rds On-漏源导通电阻：100 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压：2.45 V

Qg-栅极电荷：61 nC

最小工作温度：- 55 C

最大工作温度：+ 200 C

Pd-功率耗散：278 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降时间：7.9 ns

封装：Tube

产品：SiC MOSFETS

产品类型：SiC MOSFETS

上升时间：10.3 ns

典型关闭延迟时间：22 ns

典型接通延迟时间：13.4 ns


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型号

品牌

封装

数量

描述

IMDQ75R025M2H

INFINEON

PG-HDSOP-22

2000

70 A、CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET、25 mΩ

IMDQ75R007M2H

INFINEON

PG-HDSOP-22

2000

222 A、CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET、7 mΩ

IMDQ75R060M2H

INFINEON

PG-HDSOP-22

2000

30 A、CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET、60 mΩ

IMDQ75R004M2H

INFINEON

PG-HDSOP-22

2000

357A、CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET、4 mΩ

AIMDQ75R016M2H

INFINEON

PG-HDSOP-22

2000

CoolSiC™ 汽车级 MOSFET 750 V G2，采用 Q-DPAK 顶部冷却封装，16 mΩ

AIMDQ75R025M2H

INFINEON

PG-HDSOP-22

2000

CoolSiC™ 汽车级 MOSFET 750 V G2，采用 Q-DPAK 顶部冷却封装，25 mΩ

AIMDQ75R060M2H

INFINEON

PG-HDSOP-22

2000

CoolSiC™ 汽车级 MOSFET 750 V G2，采用 Q-DPAK 顶部冷却封装，60 mΩ

IMZ120R060M1H

INFINEON

TO-247-4

3000

1200V、60mΩ、CoolSiC™ 碳化硅 MOSFET 晶体管、TO-247-4

G2R1000MT33J

Navitas

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3000

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Littelfuse

TO-247-4

2000

1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶体管

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

    答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗？

    答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

  • 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗？

    答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

  • 4.我可以通过公司网站进行询价吗？

    答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

  • 5.下单后什么时候能发货？多久能到？

    答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

  • 6.公司能开发票吗？

    答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。

ST

ST

意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%；营业…

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