STW58N60DM2AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，属于MDmesh™ DM2系列，采用TO-247-3封装，适用于高压、大电流开关应用，如电源转换、电机驱动、工业控制和汽车电子等领域。
STW58N60DM2AG功能
专为汽车应用设计并通过 AEC-Q101 认证
快速恢复体二极管
极低的栅极电荷和输入电容
低导通电阻
100% 通过雪崩测试
极高的 dv/dt 强度
齐纳保护型
STW58N60DM2AG产品属性
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 90 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 360 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
型号
品牌
封装
数量
描述
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