IPD90P03P4L-04是一款汽车 MOSFET,提供 30V、P-沟道、最大 4.5 mΩ、DPAK、OptiMOS™-P2,是电池反向保护的理想之选。
功能概述(IPD90P03P4L-04)
P 沟道 - 逻辑电平 - 增强模式
通过 AEC 认证
MSL1 峰值回流温度高达 260°C
175°C 工作温度
绿色封装(符合 RoHS 规范)
100% 雪崩测试
用于电池反向保护
产品属性(IPD90P03P4L-04)
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 5 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 125 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 137 W
通道模式: Enhancement
应用(IPD90P03P4L-04)
汽车网关
汽车 USB 电源交付
家用机器人
电动汽车 (EV) 传动系统
电动汽车牵引逆变器
型号
品牌
封装
数量
描述
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