IPW65R110CFD是 N沟道功率MOSFET,属于 CoolMOS™ CFD2系列,采用 TO-247-3封装,适用于 高压、高电流开关应用。该器件具有 650V漏源电压(V<sub>DS</sub>) 和 31.2A连续漏极电流(I<sub>D</sub>),并采用 先进的硅基MOSFET技术,提供 低导通电阻(R<sub>DS(on)</sub> = 99mΩ) 和 快速开关特性,适用于 工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电桩等高效能应用。
IPW65R110CFD 特性
采用集成快速体二极管的 650V 技术
硬换向期间电压过冲有限
与 600V CFD 技术相比,Qg 显著降低
更大的 RDS(on) 最大值到 RDS(on) 典型值窗口
易于设计
价格低于 600V CFD 技术
IPW65R110CFD 优势
由于体二极管重复换向时的 Qrr 较低,因此开关损耗较低
自限制 di/dt 和 dv/dt
低 Qoss
缩短接通和断开延迟时间
出色的 CoolMOS™ 质量
IPW65R110CFD 潜在应用
电信
服务器
太阳能
HID 灯镇流器
LED 照明
电子移动
型号
品牌
封装
数量
描述
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