采用 TOLL 封装的 IMT65R026M2H CoolSiC™ MOSFET 650 V 第 2 代 (G2) 是利用 CoolSiC™ G2 等高性能技术的趋势性选择。它克服了传统封装在热循环方面的限制，并改进了 .XT 互连以降低热阻。因此，既能充分利用碳化硅的特性，又能保持较小的尺寸，是功率密度的下一个合理进步。
IMT65R026M2H 的特点
优异的性能系数 (FOM)
同类最佳的 RDS(on)
出色的坚固性
灵活的驱动电压范围
引脚对引脚兼容所有 8x8 FET
通过 .XT 改进封装互连
最大 Tj=175°C
TCoB 中的 12k 周期
IMT65R026M2H 的优点
节省 BOM
最大限度地提高系统性能
可靠性最高，使用寿命更长
实现最高效率和功率密度
占用空间小，功率密度更高
最紧凑的子卡设计
充分利用碳化硅，占地面积小
IMT65R026M2H 的应用
智能电视的完整系统解决方案
储能系统
暖通空调 (HVAC)
微型逆变器解决方案
电源转换
型号
品牌
封装
数量
描述
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2EDN8534F是英飞凌一款双通道5A栅极驱动器IC，属于EiceDRIVER™ 2EDN系列，专为驱动标准MOSFET、超结MOSFET及宽禁带（WBG）功率开关器件（如SiC、GaN）而优化。
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER™ 600 V 高、低压侧栅极驱动器 IC，典型源电流为 1.9 A，灌电流为 2.3 A，采用 8 引线 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。
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IRS2186STRPBF属于EiceDRIVER™ 600 V 高压侧和低压侧栅极驱动器 IC，具有典型的 4 A 源电流和 4 A 灌电流，采用 8 引线 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。
BTS5210G
BTS5210G是一款 双通道智能高侧电源开关，采用 SIPMOS 技术 集成 N 沟道垂直功率 MOSFET，适用于 12V 和 24V 接地负载 的电源管理应用。电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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