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STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速沟槽栅场截止HB系列IGBT。该产品采用先进的专有沟槽栅场截止结构，旨在优化导通和开关损耗的平衡，从而提高任何频率转换器的效率‌。其技术规格和典型应用如下：

技术规格

IGBT 类型：沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，40A

功率 - 最大值：283 W

开关能量：498µJ（导通），363µJ（关断）

输入类型：标准

栅极电荷：210 nC

25°C 时 Td（开/关）值：40ns/142ns

测试条件：400V，40A，5 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：62 ns

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

典型应用

STGW40H65DFB IGBT适用于需要高效能量转换的场合‌，包括：

光伏逆变器

高频转换器

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