APT50GN60BDQ2G是由Microchip推出的一款采用TO-247封装的绝缘栅双极晶体管(IGBT),具有FLANGE MOUNT结构,适用于各种工业应用中的紧凑型设计需求。
技术参数
APT50GN60BDQ2G的主要参数如下:
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):107 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,50A
功率 - 最大值:366 W
开关能量:1185µJ(导通),1565µJ(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:325 nC
25°C 时 Td(开/关)值:20ns/230ns
测试条件:400V,50A,4.3 欧姆,15V
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
应用领域
APT50GN60BDQ2G IGBT适用于需要高功率、高效率的电力电子应用,如电机控制、变频器、不间断电源(UPS)等。其高性能和可靠性使其在工业控制、交通运输和可再生能源领域具有广泛应用。
型号
品牌
封装
数量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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