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STGWA60V60DF是一种使用先进专有沟槽栅场截止结构的IGBT器件，属于V系列IGBT的一部分‌。该器件旨在实现传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，以提高非常高频转换器的效率。其最大结温为175°C，具有无尾关断特性，饱和压降VCE(sat)在60A时为1.85V（典型值），并且参数分布紧密，适合并联运行‌。其技术规格和应用领域如下：

技术规格

IGBT 类型：沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：240 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，60A

功率 - 最大值：375 W

开关能量：750µJ（导通），550µJ（关断）

输入类型：标准

栅极电荷：334 nC

25°C 时 Td（开/关）值：60ns/208ns

测试条件：400V，60A，4.7 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：74 ns

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

应用领域

STGWA60V60DF IGBT器件适用于需要高效能和高可靠性的应用场景，如工业控制、电机驱动和电源管理等。其高性能和低损耗特性使其在高频转换器中表现出色，能够最大化效率并减少热量生成‌。

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