IGD08N120S7是一款采用TO-252 封装的1200 V，8 A 硬开关TRENCHSTOP™ IGBT7 S7单管器件，具有低饱和压降VCEsat，可在目标应用中实现超低导通损耗。
特征描述
VCE = 1200 V
IC = 8 A
低饱和压降VCEsat = 2 V（Tvj = 150°C）
高抗短路能力（8 µs）
宽的dv/dt 可控范围
应用领域
IGD08N120S7适用于工业电机驱动和控制等领域，特别适合需要高电压和高效率的辅助电源设计。
技术规格
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：24 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：24 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，8A
功率 - 最大值：106 W
开关能量：460µJ（导通），410µJ（关断）
输入类型：标准
栅极电荷：55 nC
25°C 时 Td（开/关）值：15ns/149ns
测试条件：600V，8A，20 欧姆，15V
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TO-252-3
型号
品牌
封装
数量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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