FGY4L75T120SWD是一款采用新颖的场终止型第7代IGBT技术和采用TO-247 4−lead封装的第7代二极管。该IGBT具有最佳的性能，具有低开关和导通损耗，可在太阳能逆变器、UPS和ESS等各种应用中实现高效率运行。
技术规格
FGY4L75T120SWD的主要规格包括：
配置：Single
集电极—发射极最大电压 VCEO：1.2 kV
集电极—射极饱和电压：1.37 V
栅极/发射极最大电压：20 V
在25 C的连续集电极电流：150 A
Pd-功率耗散：652 W
最小工作温度：- 55 C
最大工作温度：+ 175 C
系列：FGY4L75T120SWD
封装 / 箱体：TO-247-4
安装风格：Through Hole
集电极最大连续电流 Ic：75 A
栅极—射极漏泄电流：400 nA
产品类型：IGBTs
应用领域
FGY4L75T120SWD广泛应用于以下领域：
太阳能逆变器
UPS
储能系统
型号
品牌
封装
数量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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