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L6482HTR器件采用模拟混合信号技术，是一种先进的全集成解决方案，适用于以微步方式驱动两相双极步进电机。

L6482HTR它为 N 沟道 MOSFET 功率级集成了一个双全桥栅极驱动器，内嵌非耗散过流保护功能。由于采用了新的电流控制，通过自适应衰减模式实现了 1/16 微步，其性能优于传统的实现方式。数字控制内核可生成用户定义的运动曲线，并通过专用寄存器集对加速、减速、速度或目标位置进行轻松编程。所有应用指令和数据寄存器，包括用于设置模拟值（即电流保护跳闸点、死区时间、PWM 频率等）的指令和数据寄存器，均通过标准的 5-Mbit/s SPI 发送。丰富的保护功能（热保护、低总线电压保护、过流保护和电机失速保护）使 L6482 器件 “刀枪不入”，满足最苛刻电机控制应用的要求。

L6482HTR特性

 工作电压：7.5 V - 85 V

 用于 N 沟道 MOSFET 的双全桥栅极驱动器

 完全可编程栅极驱动

 嵌入式米勒钳位功能

 可编程速度曲线

 高达 1/16 微步

 具有自动适应衰减模式的高级电流控制

 集成稳压器

 SPI 接口

 低静态待机电流

 可编程非耗散过流保护

 过温保护

产品属性

电机类型 - 步进： 双极性  

功能： 控制器 - 换向，方向管理  

输出配置： 前置驱动器 - 半桥（4）  

接口 ：SPI  

技术 功率： MOSFET  

步进分辨率： 1 ~ 1/16  

应用：通用   

电压 - 供电： 3.3V，5V    

工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型： 表面贴装型  

封装/外壳： 38-TFSOP（0.173"，4.40mm 宽）祼焊盘  

供应商器件封装： 38-HTSSOP 

L6482HTR应用

 双极步进电机

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