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IR2304STRPBF 是一款高性能半桥栅极驱动 IC，采用 8-SOIC 封装，适用于 MOSFET 和 IGBT 的驱动控制，广泛应用于电源转换、电机驱动、LED 照明和工业自动化 等领域。

IR2304STRPBF —核心特性

高速驱动能力

上升时间（tr）：25ns（典型值），下降时间（tf）：20ns（典型值），适用于高频开关应用。

峰值驱动电流：1A（拉电流）/ 1.3A（灌电流），可快速驱动大功率 MOSFET/IGBT。

增强型保护功能

欠压锁定（UVLO）：防止 MOSFET 在低电压下误触发。

过温保护（OTP）：当芯片温度过高时限制驱动电流，防止损坏。

反向电池保护：防止电源反接导致器件损坏。

灵活的控制方式

可调死区时间（td）：通过外部电阻设置，防止上下桥臂 MOSFET 同时导通。

兼容多种逻辑电平：支持 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑。

高可靠性设计

浮动通道设计：支持自举驱动，最高可承受 600V 高压侧电压。

抗噪声能力强：低 di/dt 驱动，减少开关噪声影响。

IR2304STRPBF —关键参数

电源电压（Vcc）：10V ~ 20V

峰值输出电流：1A（拉）/ 1.3A（灌）

上升/下降时间：25ns / 20ns（典型）

死区时间：可调（通过外部电阻）

工作温度：-40°C ~ +150°C（TJ）

封装：8-SOIC（3.9mm × 4.9mm） 表面贴装

RoHS 合规性：符合（无铅）

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