RBA500N10EHWT-2UA01 N 沟道 MOSFET 场效应晶体管专为大电流开关应用而设计。REXFET-1 100V 技术采用分离栅极结构,可提供低导通电阻。 它减少了电容和栅极电荷,以实现更高效的开关。 得益于该技术,MOSFET可实现高开关速度和低功耗,从而提高能源效率。 此外,RBA500N10EHWT-2UA01还增强了耐用性和可靠性,使其适用于汽车应用,如电源管理系统、电机控制和 DC-DC 转换器。
核心特征
标准电平栅极驱动电压:VGS(th) = 2.0V ~ 4.0V
超低导通电阻:RDS(on) = 0.65mΩ (最大值)
低输入电容
专为汽车应用而设计,符合 AEC-Q101(HTRB、HTGB)标准
核心规格
耐压值:100V
最大电流:500A
导通电阻:0.65mΩ(最大值)
栅极电压:2.0~4.0V(标准驱动电压)
RBA500N10EHWT-2UA01功率器件通过优化开关特性与低导通损耗,可降低整体系统成本并提升能效,适用于高压大电流场景。
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