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CAT25M02VI-GT3 是一款 2Mb（256K × 8）串行 EEPROM 存储器芯片，采用 SPI（串行外设接口） 通信协议，工作频率最高达 10MHz，封装为 8-SOIC（3.90mm 宽）。该芯片支持 1.7V 至 5.5V 宽电压供电，适用于低功耗和高性能存储应用，如工业控制、消费电子、汽车电子等领域。

CAT25M02VI-GT3 主要特性

存储容量与架构

2Mb（256K × 8） 存储结构，适用于中小规模数据存储需求。

非易失性 EEPROM，数据可保留 100年，支持 100万次擦写周期。

高速 SPI 接

SPI 串行接口，最高 10MHz 时钟频率，支持标准 SPI 模式（0,0 和 1,1）。

适用于微控制器（如 STM32、PIC、AVR）的快速数据读写。

宽电压与低功耗

1.7V ~ 5.5V 工作电压，兼容 3.3V 和 5V 系统。

低功耗设计，适合电池供电设备。

可靠性与耐用性

6ms 页写入时间，支持单字节和页写入（最高 256 字节/页）。

工业级温度范围（-40°C ~ +85°C），适用于严苛环境。

封装与供应链

8-SOIC（3.90mm 宽） 表面贴装封装，便于 PCB 设计。

提供 卷带（TR）和剪切带（CT） 包装，支持批量采购。

CAT25M02VI-GT3 规格参数

存储容量: 2 Mbit

接口类型: 3-Wire, SPI

最大时钟频率: 10 MHz

组织: 256 k x 8

封装 / 箱体: SOIC-8

访问时间: 40 ns

电源电压-最小: 1.7 V

电源电压-最大: 5.5 V

安装风格: SMD/SMT

数据保留: 100 Year

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

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