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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

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商品型号:IPTC034N15NM6

商品名称:MOSFET晶体管

品牌:INFINEON

年份:25+

封装:HDSOP-16

货期:全新原装

库存数量:2000

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技术参数

制造商
INFINEON
型号
IPTC034N15NM6
封装
HDSOP-16
描述
150V OptiMOS™ 6 功率MOSFET晶体管,适用于顶部散热

产品描述

IPTC034N15NM6 OptiMOS™ 6 150 V 在标准模式下,为高度竞争的 150 V 市场树立了新的性能标杆。OptiMOS™ 6 150 V 技术专为满足高频率和低频率开关应用的需求而设计,适用于硬开关和软开关模式。结合 TOLT 封装,它实现了顶部散热,提供卓越的热性能,通过散热片将高达 95% 的热量从 PCB 上散发出去。


IPTC034N15NM6 的特点

非常低的 RDS (导通状态)

与OptiMOS™ 5相比,FOMg降低20%

150V产品中行业最低的Qrr

与OptiMOS™ 5相比,二极管软度有所提升

Vgs(th)的偏差范围为±500 mV

高雪崩耐受性

顶部散热

高电流额定值

最大Tj为175°C,MSL1


IPTC034N15NM6的优势

低导通和开关损耗

改进的 EMI 下的稳定运行

并联时更好的电流共享

卓越的功率处理能力

增强的 robustness

改进的热量散发

改进的系统可靠性


IPTC034N15NM6 的应用

轻型电动车辆解决方案

电动工具

能源存储系统

光伏

电源转换


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型号

品牌

封装

数量

描述

ISC165N15NM6

INFINEON

PG-TDSON-8

2000

150V OptiMOS™ 6 功率MOSFET晶体管

IPTC017N10NM5LF2

INFINEON

HDSOP-16

2000

OptiMOS™ 5 单极型 N 沟道线性场效应晶体管

IPDQ60R024CM8

INFINEON

PG-HDSOP-22

2000

600 V CoolMOS™ 8 功率MOSFET晶体管

IRF100PW219

INFINEON

TO247-3

2000

100 V StrongIRFET™ 功率MOSFET晶体管

NTTFSSCH1D3N04XL

ON

WDFN-9

3000

表面贴装型 N 通道 40 V 207A(Tc) 107W(Tc) 9-WDFN(3.3x3.3)

IPB072N15N3G

INFINEON

PG-TO263-3

5000

表面贴装型 N 通道 150 V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3

RBA500N10EHWT-2UA01

Renesas

SMD

1500

REXFET-1 N 沟道功率 MOSFET 100V – 500A – 0.65mΩ – 芯片

BSC059N04LS6

INFINEON

PG-TDSON-8

5000

OptiMOS™ 6 40 V N 沟道功率 MOSFET

BSZ440N10NS3G

INFINEON

PG-TSDSON-8

40000

OptiMOS™3 功率晶体管,100V,N-通道功率MOSFET

BSZ011NE2LS5I

INFINEON

TSDSON-8

2000

1.1 mΩ、OptiMOS™ 5 25V功率MOSFET

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗?

    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗?

    答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。

  • 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗?

    答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

  • 4.我可以通过公司网站进行询价吗?

    答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。

  • 5.下单后什么时候能发货?多久能到?

    答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

  • 6.公司能开发票吗?

    答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。

INFINEON

INFINEON

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…

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