IPD60R950C6是一款600V N 沟道功率 MOSFET,属于 CoolMOS™ C6 系列。该系列结合了超结(SJ)技术的优势,提供高能效和高可靠性。IPD60R950C6 具有极低的导通电阻(950mΩ)和快速开关特性,适用于多种电源管理应用。
IPD60R950C6 产品属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 4.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 950 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 13 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 26 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
配置: Single
下降时间: 13 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8 ns
系列: CoolMOS C6
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
型号
品牌
封装
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描述
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