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IPW65R080CFD是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能 N 通道 MOSFET 芯片，属于 CoolMOS™ 系列。该芯片采用先进的工艺制造，专为高频开关应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。

技术参数

型号：IPW65R080CFD

制造商：Infineon

类型：N-通道 MOSFET

封装：TO-247-3

最大漏源电压 VDS：650 V

最大栅极源极电压 VGS：±20 V

最大连续漏电流 ID：43.3 A

导通电阻 RDS(on)：80 mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）

总功耗：391 W

工作温度范围： -55°C 至 +150°C

开关频率：高达 1 MHz

阈值电压 Vgs(th)：4V@1.8mA

栅极电荷量 Qg：167nC@10V

输入电容 Ciss ：5.03nF@100V

IPW65R080CFD 产品特性

极低的导通电阻 RDS(on)：有助于减少导通损耗并提升系统效率。

快速开关性能：能够支持高频应用，同时保持较低的开关损耗。

高击穿电压（650V）：使其非常适合高压环境下的使用。

优秀的热稳定性和可靠性：能够在宽温度范围内正常运行。

内置反向二极管：简化了电路设计并增强了功能集成度。

符合 RoHS 标准：环保且适用于现代电子产品的生产需求。

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