S70FL01GSDSBHMC13是一款1Gbit 3V 80MHz NOR闪存。
S70FL01GSDSBHMC13 规格参数
存储器类型:非易失性
存储器格式:闪存
技术类型:闪存 - NOR
存储容量:1Gbit
存储器组织:128M x 8
存储器接口:SPI - 四通道I/O
时钟频率:80 MHz
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 125°C (TA)
安装类型:表面贴装
S70FL01GSDSBHMC13特性
支持单通道、双通道及四通道SPI
就地执行(XiP)
高级扇区保护(ASP)
二十年数据保持期
100k次循环耐用性
型号
品牌
封装
数量
描述
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S29GL512S10FAI013是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…S29GL128S11DHBV20
S29GL128S11DHBV20是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…S29GL01GT11TFIV13
S29GL01GT11TFIV13是采用45纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™闪存产品。该系列器件具备15纳秒的快速页面访问时间,随机访问时间可达100纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想选择,可满足更高…S29GL01GS11TFV013
S29GL01GS11TFV013是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…电话咨询:86-755-83294757
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