S25HS02GTDZBHM053是专为汽车应用设计的SEMPER™ NOR闪存系列产品。该器件具备2 Gbits存储密度和Quad SPI接口,提供高达80 MByte/s的高带宽。工作电压为1.8V,支持SDR模式下133 MHz及DDR模式下80 MHz的接口频率。此符合ISO 26262标准的器件采用英飞凌创新的45纳米MIRRORBIT™技术。
S25HS02GTDZBHM053特性
四线SPI接口
集成关键安全功能
错误校正码
10年以上产品供应保障
25年数据保留期
安全启动与诊断功能
S25HS02GTDZBHM053应用领域
消费电子产品
型号
品牌
封装
数量
描述
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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…S29GL01GS10FAI013
S29GL01GS10FAI013是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…S29GL512S10FAI013
S29GL512S10FAI013是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…S29GL128S11DHBV20
S29GL128S11DHBV20是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…S29GL01GT11TFIV13
S29GL01GT11TFIV13是采用45纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™闪存产品。该系列器件具备15纳秒的快速页面访问时间,随机访问时间可达100纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想选择,可满足更高…S29GL01GS11TFV013
S29GL01GS11TFV013是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…电话咨询:86-755-83294757
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