IPAN80R360P7 [N-通道功率MOSFET] 800V,CoolMOS™ P7 功率 MOSFET 晶体管,PG-TO220-3
产品详情:
型号:IPAN80R360P7
封装:PG-TO220-3
类型:N-通道功率 MOSFET 晶体管
说明:IPAN80R360P7——800V,CoolMOS™ P7 系列功率晶体管,适用于消费类PFC平台、太阳能、适配器、音频、照明应用。
IPAN80R360P7 产品属性:
ID max:13 A
ID (@25°C) 最大值:13 A
IDpuls 最大值:34 A
Ptot 最大值:30 W
Qgd:13 nC
QG (typ @10V):30 nC
QG:30 nC
RDS (on) 最大值:360 mΩ
RDS (on) (@10V) 最大值:360 mΩ
RthJA 最大值:80 K/W
RthJC 最大值:4. 2 K/W
Rth:4.2 K/W
VDS 最大值:800 V
VGS(th):3 V
封装:TO220 FullPAK 窄引线
工作温度:-55 °C 至 150 °C
IPAN80R360P7 产品特性:
CoolMOS ™ 7 系列
低栅极电荷
COSS中的低存储能量
集成栅极电阻
窄引线
硬开关效率高
型号
品牌
封装
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描述
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S29GL512S10FAI013是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…S29GL128S11DHBV20
S29GL128S11DHBV20是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…S29GL01GT11TFIV13
S29GL01GT11TFIV13是采用45纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™闪存产品。该系列器件具备15纳秒的快速页面访问时间,随机访问时间可达100纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想选择,可满足更高…S29GL01GS11TFV013
S29GL01GS11TFV013是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…电话咨询:86-755-83294757
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