IPD95R450P7——950V,CoolMOS™ P7系列 MOSFET 晶体管,该系列拥有同类最佳的 3V VGS (th)、仅 ±0.5 V 的容差和受保护的栅极。适用于从照明、智能电表、手机充电器、笔记本电脑适配器到 AUX 电源和工业 SMPS 等各种应用。
产品详情:
型号:IPD95R450P7
封装:PG-TO252-3
类型:N-通道功率 MOSFET 晶体管
产品属性:
ID max:14 A
ID (@25°C) 最大值:14 A
IDpuls 最大值:43 A
Ptot 最大值:104 W
QG:35 nC
QG (typ @10V):35 nC
RDS (on) 最大值:450 mΩ
RDS (on) (@10V) 最大值:450 mΩ
VDS 最大值:950 V
VGS(th):3 V
封装:DPAK
工作温度:- 50 °C 至 150 °C
IPD95R450P7 产品特性:
CoolMOS ™ 7 系列
低栅极电荷
COSS中的低存储能量
集成栅极电阻
硬开关效率高
MOSFET 适合硬谐振拓扑
型号
品牌
封装
数量
描述
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S29GL512S10FAI013是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…S29GL128S11DHBV20
S29GL128S11DHBV20是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…S29GL01GT11TFIV13
S29GL01GT11TFIV13是采用45纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™闪存产品。该系列器件具备15纳秒的快速页面访问时间,随机访问时间可达100纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想选择,可满足更高…S29GL01GS11TFV013
S29GL01GS11TFV013是采用65纳米工艺技术制造的MIRRORBIT™ Eclipse闪存产品。该系列器件提供高达15纳秒的快速页面访问时间,对应随机访问时间低至90纳秒。其写入缓冲器支持单次操作编程256字/512字节,有效编程速度超越标准编程算法。此特性使其成为当今嵌入式应用的理想…电话咨询:86-755-83294757
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