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S25FL256SDPMFV011是一款256Mbit NOR闪存。该器件通过SPI接口连接至主机系统，支持传统SPI单比特串行输入输出（SingleI/O或SIO），同时提供可选的双比特（Dual I/O或DIO）和四比特（Quad I/O或QIO）串行命令模式。

S25FL256SDPMFV011特性

• 3.0V CMOS核心架构，配备多功能I/O接口

• 支持多I/O模式的SPI接口

- SPI时钟极性与相位模式0/3兼容

- DDR模式可选

- 扩展寻址：24位或32位地址选项

- 串行命令集与封装尺寸兼容S25FL-A、S25FL-K及S25FL-P SPI系列

- 多I/O命令集与封装尺寸兼容S25FL-P SPI系列

• 读取命令

- 标准/快速/双倍速/四倍速/快速DDR/双倍速DDR/四倍速DDR

- 自动启动功能：上电或复位后自动执行预选地址的标准/四倍速读取命令

- 配置信息采用通用闪存接口（CFI）数据

• 编程（1.5 MBps）

- 256或512字节页编程缓冲区选项

- 适用于低时钟系统的高效四路输入页编程（QPP）

- 自动生成ECC内部硬件纠错码，支持单比特错误纠正

• 擦除（0.5至0.65 MBps）

- 混合扇区尺寸选项 - 地址空间顶部或底部设置32个4KB物理扇区，其余均为64KB扇区，兼容前代S25FL器件

- 统一扇区选项 - 始终擦除256KB块，确保与高密度及未来器件的软件兼容性

• 循环耐受性

- 最低100,000次编程-擦除循环

• 数据保留

- 最低20年数据保留期

• 安全特性

- 1024字节一次性可编程（OTP）阵列

- 块保护

• 状态寄存器位可控制对连续扇区范围的编程或擦除保护

• 软硬件控制选项

- 高级扇区保护（ASP）

• 通过启动代码或密码控制的独立扇区保护

• 采用Eclipse架构的65纳米MIRRORBIT™技术

• 核心供电电压：2.7V至3.6V

• I/O供电电压：1.65V至3.6V

• 状态寄存器位用于控制对连续扇区范围的编程或擦除保护• 硬件与软件控制选项- 高级扇区保护（ASP）- 通过启动代码或密码控制的独立扇区保护- 采用Eclipse架构的65纳米MIRRORBIT™技术- 核心供电电压：2.7 V至3.6 V- I/O供电电压：1.65 V至3.6 V

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