S25FL512SDPBHV310 FL-S NOR闪存器件是一款工作电压为2.7V至3.6V的512Mb闪存非易失性存储器。
S25FL512SDPBHV310产品兼具高密度存储容量与灵活性能,可满足各类嵌入式应用对高速性能的需求。该产品是代码影射、XIP和数据存储的理想选择。
S25FL512SDPBHV310特性
• 3.0V CMOS内核,配备多功能I/O接口
• 支持多I/O的SPI接口
• 容量:512Mb(64MB)
• SPI特性:
- SPI时钟极性与相位模式0和3
- DDR选项
- 扩展寻址:32位地址
- 串行命令集与封装尺寸兼容S25FL-A、S25FL-K及S25FL-P SPI系列
- 多功能I/O接口
- DDR模式选项
- 扩展寻址:32位地址
- 串行命令集与封装兼容S25FL-A/K/P SPI系列
- 多I/O命令集与封装兼容S25FL-P SPI系列
• 读取命令
- 标准/快速/双倍速/四倍速/快速DDR/双倍速DDR/四倍速DDR
- 自动启动功能:上电或复位后自动在预选地址执行标准/四倍速读取命令
- 配置信息采用通用闪存接口(CFI)数据
• 编程模式(1.5 MBps)
- 512字节页编程缓冲区
- 适用于低时钟系统:四路输入页编程(QPP)
- 自动ECC:内部硬件生成单比特纠错码
• 擦除(0.5至0.65 MBps)
- 统一256KB扇区
• 循环耐受性
- 最低100,000次编程-擦除循环
• 数据保留
- 最低20年数据保留期
• 安全特性
- 1024字节一次性可编程(OTP)阵列
- 块保护:
• 状态寄存器位用于控制连续扇区范围的编程或擦除保护
• 软硬件控制选项
- 高级扇区保护(ASP)
• 通过启动代码或密码控制单个扇区保护
• 英飞凌65纳米MIRRORBIT™技术,搭载Eclipse™架构
• 核心供电电压:2.7V至3.6V
• I/O供电电压:1.65V至3.6V
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