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回收碳化硅 MOSFET 模块 DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 N沟道碳化硅结型晶体管

回收碳化硅 MOSFET 模块 DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 N沟道碳化硅结型晶体管

来源:本站时间:2023-05-22浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司供应,回收碳化硅 MOSFET 模块 DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 N沟道碳化硅结型晶体管供求产品:DF17MR12W1M1HFB68BPSA1批次:最新23+封装:Module说明:DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 EasyPACK™ 1B CoolSiC™ MOSFET 1200 V、17 mΩ增压型单体MPPT模块,采用…

深圳市明佳达电子有限公司供应,回收碳化硅 MOSFET 模块 DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 N沟道碳化硅结型晶体管


供求产品:DF17MR12W1M1HFB68BPSA1

批次:最新23+

封装:Module


说明:

DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 EasyPACK™ 1B CoolSiC™ MOSFET 1200 V、17 mΩ增压型单体MPPT模块,采用增强型1代、NTC和PressFIT接触技术。


特征描述

高度为12毫米的同类最佳封装

领先的WBG材料与简易模块封装的结合

非常低的模块杂散电感

宽的RBSOA

具有增强的第1代沟槽技术的1200 V CoolSiC™ MOSFET

扩大了推荐的栅极驱动电压窗口,从+15...+18 V到0...-5 V

扩展的最大栅极-源极电压为+23 V和-10 V

过载条件下的Tvjop最高可达175°C

按压FIT引脚

集成NTC温度传感器


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