深圳市明佳达电子有限公司供应,回收碳化硅 MOSFET 模块 DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 N沟道碳化硅结型晶体管供求产品:DF17MR12W1M1HFB68BPSA1批次:最新23+封装:Module说明:DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 EasyPACK™ 1B CoolSiC™ MOSFET 1200 V、17 mΩ增压型单体MPPT模块,采用…
深圳市明佳达电子有限公司供应,回收碳化硅 MOSFET 模块 DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 N沟道碳化硅结型晶体管
批次:最新23+
封装:Module
说明:
DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 EasyPACK™ 1B CoolSiC™ MOSFET 1200 V、17 mΩ增压型单体MPPT模块,采用增强型1代、NTC和PressFIT接触技术。
特征描述
高度为12毫米的同类最佳封装
领先的WBG材料与简易模块封装的结合
非常低的模块杂散电感
宽的RBSOA
具有增强的第1代沟槽技术的1200 V CoolSiC™ MOSFET
扩大了推荐的栅极驱动电压窗口,从+15...+18 V到0...-5 V
扩展的最大栅极-源极电压为+23 V和-10 V
过载条件下的Tvjop最高可达175°C
按压FIT引脚
集成NTC温度传感器
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