第五代高速系列 - IKW75N65EH5 - 高速 650 V 硬开关 IGBT TRENCHSTOP™ 5 与 RAPID 1 快速软反并联二极管共同封装在 TO-247 封装中，被定义为 “同类最佳 ”IGBT。描述：IKW75N65EH5是一款 650 V、75 A IGBT，采用快速软反并联二极管，TO-247 封装。它具有开关损耗低、效…
第五代高速系列 - IKW75N65EH5 - 高速 650 V 硬开关 IGBT TRENCHSTOP™ 5 与 RAPID 1 快速软反并联二极管共同封装在 TO-247 封装中，被定义为 “同类最佳 ”IGBT。
描述：
IKW75N65EH5是一款 650 V、75 A IGBT，采用快速软反并联二极管，TO-247 封装。它具有开关损耗低、效率高和温度稳定性好的特点，适用于中高频变频器、太阳能电池板和其他应用。
特点：
650 V 突破性电压
与同类最佳的高速 3 系列相比
Qg 降低 2.5 倍
开关损耗降低 2 倍
VCEsat 降低 200mV
与快速 Si- 二极管技术共同封装
低 COES/EOSS
温和的正温度系数 VCEsat
Vf 的温度稳定性
规格：
系列： TrenchStop™
包装： 管件
零件状态： 在售
IGBT 类型： 沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 90 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V @ 15V，75A
功率 - 最大值：395 W
开关能量： 2.3mJ（导通），900µJ（关断）
输入类型： 标准
栅极电荷： 160 nC
25°C 时 Td（开/关）值： 28ns/174ns
测试条件： 400V，75A，8 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)： 92 ns
工作温度： -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商器件封装： PG-TO247-3
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