深圳市明佳达电子有限公司全新原装英飞凌晶体管_IPT60R035CFD7_600V CoolMOS™ CFD7 功率晶体管 IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3英飞凌对谐振大功率拓扑的解答600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌推出的新型高压超结 MOSFET 技术，具有集成快速体二极管，完善了CoolMOS™ 7系列。…
深圳市明佳达电子有限公司全新原装英飞凌晶体管_IPT60R035CFD7_600V CoolMOS™ CFD7 功率晶体管 IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
英飞凌对谐振大功率拓扑的解答
600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌推出的新型高压超结 MOSFET 技术，具有集成快速体二极管，完善了CoolMOS™ 7系列。 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更为出色的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)远低于市场上的竞争性产品，降幅高达 69%。不仅如此，它还具有市场上较短的反向恢复时间(trr)。
特点
-超快体二极管
-低门限充电
-同类最佳反向恢复充电（Qrr）
-改进的 MOSFET 反向二极管
-最低的 RDS（On）*Qg 和 RDS（On）*Eoss
-SMD和THD封装中的同类最佳RDS(on)
优势
-出色的高负荷运行能力
-针对共振拓扑结构的最高可靠性
-最高效率，使用/性能折损不明显
-支持增加功率密度的解决方案
潜在应用
适用于软交换拓扑结构
优化用于移相全桥（ZVS）、LLC 应用--服务器、电信、EVC 充电、电信、EVC 充电
规格
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSOF-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 67 A
Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 109 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 351 W
通道模式: 增强
公司首页：www.hkmjd.com
电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间：9:00-18:00
联系邮箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接:
最新资讯
![供应[NORDIC BLE SoC] NRF51422-QFAA——蓝牙低功耗片上系统（SoC）](/upload/202504/30/202504301651582148.jpg)
