英飞凌MOSFET_IPB029N15NM6_OptiMOS™ 6 功率 MOSFET，150 V

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英飞凌MOSFET_IPB029N15NM6_OptiMOS™ 6 功率 MOSFET，150 V

来源：本站时间：2025-03-18浏览数：

深圳市明佳达电子电子有限公司全新原装推出英飞凌MOSFET_IPB029N15NM6_OptiMOS™ 6 功率 MOSFET，150 V 正常电平，采用 DPAK 3 引脚封装。IPB029N15NM6器件概述IPB029N15NM6 是英飞凌（Infineon）推出的 OptiMOS™ 6 系列中的一款高性能功率 MOSFET，额定电压为 150 V。该…

深圳市明佳达电子电子有限公司全新原装推出英飞凌MOSFET_IPB029N15NM6_OptiMOS™ 6 功率 MOSFET，150 V 正常电平，采用 D²PAK 3 引脚封装。

IPB029N15NM6器件概述

IPB029N15NM6 是英飞凌（Infineon）推出的 OptiMOS™ 6 系列中的一款高性能功率 MOSFET，额定电压为 150 V。该产品以其卓越的功率密度、低导通电阻和高开关效率，成为工业电源、电动工具和汽车电子等领域的理想选择。IPB029N15NM6 的设计旨在优化能效，同时降低系统成本，满足现代电力电子应用的高性能需求。

IPB029N15NM6产品特点

低导通电阻：IPB029N15NM6 的导通电阻（RDS(on)）极低，显著减少了功率损耗，提升了整体能效。

高开关效率：通过优化体二极管和开关特性，IPB029N15NM6 在高频应用中表现出色，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗。

优异的功率密度：IPB029N15NM6 采用先进的封装技术，实现了更高的功率密度，适用于空间受限的应用场景。

宽安全工作区：IPB029N15NM6 具有宽安全工作区（SOA），能够在高电流和高电压条件下稳定运行，适用于严苛的工业环境。

环保设计：符合 RoHS 标准，不含铅，满足环保要求6。

IPB029N15NM6技术规格

额定电压：150 V

导通电阻（RDS(on)）：2.9 mΩ（典型值）

最大漏电流（ID）：120 A

封装类型：TO-263（D2PAK）

工作温度范围：-55°C 至 +175°C