明佳达电子【供应】STW40N95K5 (ST) N 沟道功率 MOSFET 晶体管深圳市明佳达电子有限公司——供应ST STW40N95K5 N通道功率MOSFET：高效能解决方案的可靠选择在现代电子设备与电力系统中，功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为核心功率开关器件，其性能直接影响…
明佳达电子【供应】STW40N95K5 (ST) N 沟道功率 MOSFET 晶体管
深圳市明佳达电子有限公司——供应ST STW40N95K5 N通道功率MOSFET：高效能解决方案的可靠选择
在现代电子设备与电力系统中，功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为核心功率开关器件，其性能直接影响到系统的效率、稳定性和可靠性。针对高功率应用场景的需求，明佳达电子作为专业的电子元器件供应商，长期供应ST 推出的STW40N95K5 MDmesh™ K5系列功率MOSFET晶体管，为工业、新能源、汽车电子等领域提供高效能解决方案。
STW40N95K5产品概览
STW40N95K5是ST 推出的高性能N沟道功率MOSFET晶体管，产品详情如下所示：
型号：STW40N95K5
系列：MDmesh™ K5
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：130 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：93 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3300 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：450W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247-3
封装/外壳：TO-247-3
STW40N95K5——产品核心优势
业界最低的 RDS(on) x 面积
业界最佳的性能系数 (FoM)
超低栅极电荷
100% 雪崩测试
齐纳保护型
STW40N95K5——典型应用场景
STW40N95K5凭借其高压、高效特性，广泛应用于以下领域：
开关电源（SMPS）
- 服务器电源、工业电源、LED驱动电源等，通过低损耗特性实现高能效转换。
电机驱动与逆变器
- 适用于电动汽车充电桩、工业电机控制、太阳能逆变器等，支持高功率密度设计。
新能源系统
- 光伏MPPT（最大功率点跟踪）模块、储能系统DC-DC转换器，提升能量利用率。
工业设备
- 焊接机、UPS（不间断电源）、电焊机等高压大电流场景，确保长期可靠性。
STW40N95K5 N通道功率MOSFET凭借其高压、高效、高可靠性的特点，已成为工业与新能源领域的标杆产品。明佳达电子通过库存与服务的深度融合，助力客户缩短产品上市时间，降低综合成本。
如需了解更多STW40N95K5 的产品详情或获取样品，请联系明佳达电子销售团队，我们将为您提供专业的一站式服务。
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